据媒体12月23日报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅MOSFET已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建SiC产线，预计到明年有自己的产线。
据了解，比亚迪半导体以IGBT和SiC为核心，拥有IDM功率半导体产业，包括芯片设计、晶圆制造、模块封装测试以及整车应用。目前，比亚迪已研发出SiC MOSFET。比亚迪旗舰车型汉EV四驱版正是国内首款批量搭载Sic MOSFET组件的车型。按照比亚迪公布的计划，预计到 2023 年，其旗下电动车将实现碳化硅功率半导体对 IGBT的全面替代，整车性能在现有基础上再提升10％。
比亚迪半导体宣布自建SiC产线或许与其SiC产能不足有关。9月17日，比亚迪半导体功率半导体产品中心芯片研发总监吴海平在接受专访时回应称，目前，SiC的产能仍在爬坡，而汉EV后驱版的预定量非常多，远超企业预期，因此造成供货赶不上需求的问题。但他也表示，从第四季度开始，SiC产能将能持续满足汉EV四驱版的销售需求。”
